PECVD 等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)PD-220系列

簡(jiǎn)要描述：等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)是通過(guò)將活性氣體變成等離子體狀態(tài)，在目標(biāo)基材上產(chǎn)生活性自由基和離子，使目標(biāo)基材發(fā)生化學(xué)反應(yīng)而形成薄膜的技術(shù)。在化合物半導(dǎo)體和硅半導(dǎo)體的制造過(guò)程中，用于沉積作為鈍化膜的氮化硅薄膜（SiN）和作為層間絕緣膜的氧化硅薄膜（SiO?）。

更新時(shí)間：2026/3/15 20:04:51
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產(chǎn)品型號(hào)：PD-220系列

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詳細(xì)介紹

等離子體增強(qiáng)型CVD設(shè)備 PD-2201LC 節(jié)省空間的生產(chǎn)系統(tǒng)

概要

PD-2201LC 是一種盒式裝載等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積 (PECVD) 設(shè)備，能夠沉積硅基薄膜（氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅）。
該系統(tǒng)在節(jié)省空間的前提下提供了PECVD的所有標(biāo)準(zhǔn)功能。可在直徑220毫米的區(qū)域內(nèi)沉積具有優(yōu)異厚度均勻性和應(yīng)力控制的薄膜，并具有優(yōu)異的穩(wěn)定性和可重復(fù)性。用戶友好的觸摸屏界面，用于參數(shù)控制和配方存儲(chǔ)。該系統(tǒng)是大規(guī)模生產(chǎn)用薄膜沉積的理想選擇，具有優(yōu)異的重復(fù)性。

主要特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)

• 最大加工范圍：ø220 mm (ø3" x 5, ø4" x 3, ø8" x 1)

• 優(yōu)異的均勻性和應(yīng)力控制

• 卓越的工藝穩(wěn)定性和可重復(fù)性

• 堅(jiān)固的系統(tǒng)，最低的運(yùn)行/維護(hù)成本

• 用戶友好的觸摸屏界面，用于參數(shù)控制和配方存儲(chǔ)

• PD-2201LC設(shè)計(jì)時(shí)尚、節(jié)省空間，只需最小的潔凈室空間

• 雙頻(13.56 MHz + 400 kHz)PECVD，用于卓越的過(guò)程控制

應(yīng)用

• SiH4-SiNx

• SiH4-SiO2

• 液體前驅(qū)體(SN-2)SiNx。

• TEOS-SiO2

等離子體增強(qiáng)型CVD設(shè)備 PD-220NL 緊湊的研發(fā)用負(fù)載鎖定系統(tǒng)

概要

PD-220NL 是一種負(fù)載鎖定等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積 (PECVD) 系統(tǒng)，能夠沉積硅基薄膜（氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅）。
該系統(tǒng)以非常緊湊的占地面積提供了PECVD的所有標(biāo)準(zhǔn)功能。可在直徑220毫米的區(qū)域內(nèi)沉積具有優(yōu)異厚度均勻性和應(yīng)力控制的薄膜，并具有優(yōu)異的穩(wěn)定性和可重復(fù)性。用戶友好的觸摸屏界面，用于參數(shù)控制和配方存儲(chǔ)。該系統(tǒng)是研發(fā)用薄膜沉積以及試生產(chǎn)的理想選擇。